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Model RDT650 复合集流体镀铜/EMI屏蔽设备 ​

版本 v1.1 · 数据日期 2026-10-30 · 来源:naxauie.com

一句话:Model RDT650 面向复合集流体镀铜与 EMI 电磁屏蔽膜开发,双面同步蒸镀 Cu,1μm 铜层方阻 ≤0.03Ω/sq,屏蔽效能 ≥60dB。

关键参数 ​

参数数值说明
工艺双面同步蒸镀 Cu电子束蒸发
电子束功率30~300 kW—
走带速度5~30 m/min—
铜层均匀性±3%单面
方阻≤0.03 Ω/sq1μm 铜层
屏蔽效能≥60 dBEMI 电磁屏蔽
在线黑化CuO 黑化,反射率 ≤20%可选
基膜PET/PI 10μm 以下超薄基膜

核心优势 ​

  • 双面同步蒸镀:双面同步蒸镀铜层,均匀性 ±3%
  • 低方阻高屏蔽:1μm 铜层方阻 ≤0.03Ω/sq,屏蔽效能 ≥60dB
  • 在线黑化工艺:在线 CuO 黑化处理,反射率 ≤20%

适用场景 ​

应用说明
复合集流体镀铜锂电池铜箔替代
EMI 电磁屏蔽膜5G/电子设备屏蔽
电子功能膜柔性电子导电膜

相关链接 ​